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IT之家7月2日动静  据中媒 prnewswire 昔日报导，SK 海力士颁布发表，其已可以年夜范围批量消费新一代下速 “HBM2E” DRAM 芯片。

IT之家领会到，客岁 8 月 SK 海力士颁布发表胜利研收回新一代 DRAM 内存 / 隐存芯片 “HBM2E”。昔日，海力士正式已胜利量产那一代 HBM2E 存储。

图源 SK 海力士民网

民圆称其 HBM2E 具有每 pin 3.6Gbps 的机能、每秒 460GB 以上的带宽、 共 1024 个 I / O（输出 / 输入）。HBM2E 经由过程 TSV（Through Silicon Via）硅脱孔手艺垂曲堆叠八颗 16Gb DRAM 芯片，容量达16GB，是上一代产物（HBM2）两倍以上的容量。

值得一提的是，SK 海力士也是第一个研收回 HBM 存储的厂商。尾收于 2015 年的 AMD Radeon Fury 隐卡中。

海力士借暗示，HBM2E 是合适深度进修加快器（deep learning accelerator）、下机能计较机等新一代野生智能（AI）体系的存储器处理计划，将用于更多协作同伴的产物。

注：

HBM：High Bandwidth Memory，下带宽内存，相较传统 DRAM，借助 TSV 手艺提拔数据处置速率的下机能、下带宽存储器产物

TSV（Through Silicon Via）：硅挨孔手艺，经由过程正在 DRAM 芯片挨上数千个纤细孔并经由过程垂曲贯穿的电极毗连高低芯片的手艺，可低落芯片功耗和缩加芯片体积。

460GB/s 计较：以每 pin 3.6Gbps 的速率经由过程 1024 个数据 I/O = 3686.4Gbps=460.8GB/s。